报告题目：面向全脑维度脑机接口应用的万级通道脑电放大微电极阵列研究

报告人：宋恩名，青年研究员，复旦大学

报告时间：4月11日晚18：30-20：00，腾讯会议：720-203-028

链接：https://meeting.tencent.com/dm/FRMmnwfBoJi7

主持人：韩三灿

报告摘要：

基于单晶硅纳米薄膜器件的植入式柔性电子系统展现了巨大的发展潜力，该领域的研究突破促使着生物医学工程的快速进展，代表方向包括了植入式脑机接口技术等等。在此，我们以创新型的高密度集成化半导体功能薄膜器件为出发点，主要工作围绕植入式单晶硅纳米薄膜晶体管阵列的生物传感系统：（1）开发了单晶硅硅纳米薄膜的柔性转移技术，从而建立了全脑维度分布密度可控的数以万计植入式大规模柔性电极阵列（>32000个）；（2）研究了超薄单晶硅热生长二氧化硅纳米材料的封装特性，实现了动物体内可稳定工作数年的传感器件，工作稳定性>60年；（3）开发了新型脑电传感的皮层成像技术，其中信噪比超40 dB、保真度近100%，从而获得了脑电信号的放大、刺激、调制一体化的脑机接口成像系统。该技术预计促进多功能、高性能的新型生物医学工程的应用，相关成果对特定的人体疾病（如帕金森症、癫痫）的医疗方向有重要的参考意义。

报告人简介：

宋恩名，复旦大学光电研究院青年研究员，师从美国西北大学四院院士John A. Rogers教授（2015-2020年）。2011年、2017年本科、博士毕业复旦大学材料科学系。期间2015年-2017年联合培养博士生就读美国伊利诺伊大学香槟分校，2018年起在美国西北老员工物电子中心进行博士后工作，同年3月起兼任美国伊利诺伊大学香槟分校研究助理教授（Adjunct Research Assistant Professor）。主要从事脑机接口工程领域的植入式柔性电子系统研究，工作围绕用于万级通道的硅薄膜放大微电极阵列及脑电成像技术。近5年以第一/通讯作者发表期刊论文17篇（第一作者15篇），如1篇高被引论文Nature Materials、1篇Cell、1篇Nature Biomedical Engineering、3 篇美国国家科学院院刊（PNAS）、1篇Adv Mater、1篇ACS Nano、2篇Adv Funct Mater等。 2020年关于脑内封装技术获得美国专利一项已授权。上榜2021年度《麻省理工科技评论》35人、联合国工业组织颁发的第五届全球科创奖-科创进步奖（个人奖项）、获得国家级海外高层次人才计划、上海市海外高层次人才计划，入选上海脑科学与类脑研究中心“求索杰出青年”计划研究组长等。